一、技術(shù)定義與基本特征
干式潔凈室是指不依賴傳統(tǒng)加濕系統(tǒng),通過精確控制露點(diǎn)溫度維持低濕度環(huán)境的潔凈空間。其核心特征為在維持潔凈度等級的同時(shí),將環(huán)境相對濕度控制在極低水平(通常低于5%RH)。
二、核心技術(shù)要點(diǎn)
1、濕度控制體系
露點(diǎn)溫度控制:采用兩級或三級深度除濕方案,初級采用轉(zhuǎn)輪除濕機(jī),將新風(fēng)露點(diǎn)溫度降至-20℃以下;次級采用化學(xué)轉(zhuǎn)輪或冷凍除濕組合,實(shí)現(xiàn)露點(diǎn)溫度-40℃至-60℃的深度除濕。
動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)精度:配備高精度濕度傳感器網(wǎng)絡(luò),控制精度達(dá)到±1.5%RH,露點(diǎn)溫度控制精度±0.5℃。
防結(jié)露設(shè)計(jì):墻體采用雙層保溫結(jié)構(gòu),保溫層厚度不低于80mm,所有穿墻部件均做氣密處理,防止冷橋產(chǎn)生。
2、氣流組織設(shè)計(jì)
垂直單向流:頂部FFU覆蓋率不低于80%,風(fēng)速控制范圍0.35-0.45m/s,均勻度偏差不超過±15%。
氣流壓差梯度:潔凈區(qū)與非潔凈區(qū)壓差維持15Pa以上,不同潔凈等級區(qū)域間壓差不低于10Pa。
回風(fēng)系統(tǒng):采用地面格柵回風(fēng),開孔率不低于50%,確保氣流組織穩(wěn)定。
3、材料與結(jié)構(gòu)特性
防靜電處理:所有內(nèi)表面材料表面電阻值控制在10^6-10^9Ω,防止低濕環(huán)境下靜電積聚。
密封性能:圍護(hù)結(jié)構(gòu)泄漏率不超過0.1%/h,門窗氣密等級達(dá)到GB/T 7106標(biāo)準(zhǔn)6級以上。
耐低溫材料:在露點(diǎn)溫度低于-30℃工況下,所有密封材料保持彈性,不發(fā)生脆化。
4、能源回收系統(tǒng)
熱回收裝置:采用全熱交換器,顯熱回收效率不低于75%,全熱回收效率不低于60%。
變頻控制:風(fēng)機(jī)、水泵等動(dòng)力設(shè)備均采用變頻驅(qū)動(dòng),根據(jù)實(shí)際負(fù)荷自動(dòng)調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速。
能耗指標(biāo):單位面積年耗電量不超過280kWh/m2,較傳統(tǒng)潔凈室節(jié)能25%以上。
三、典型應(yīng)用場景
1、鋰電池制造
電極涂布工序:環(huán)境要求濕度≤1%RH,溫度23±2℃,潔凈度ISO7級。
電芯注液工序:環(huán)境要求濕度≤0.5%RH,溫度25±1℃,潔凈度ISO6級。
電池封裝工序:環(huán)境要求濕度≤2%RH,溫度23±2℃,潔凈度ISO7級。
2、微電子封裝
晶圓級封裝:環(huán)境要求濕度≤3%RH,溫度22±0.5℃,潔凈度ISO5級。
倒裝芯片鍵合:環(huán)境要求濕度≤2%RH,溫度23±0.5℃,潔凈度ISO4級。
MEMS器件封裝:環(huán)境要求濕度≤5%RH,溫度25±1℃,潔凈度ISO6級。
3、特種材料生產(chǎn)
OLED材料蒸鍍:環(huán)境要求濕度≤1%RH,溫度23±1℃,潔凈度ISO5級。
納米粉體制備:環(huán)境要求濕度≤3%RH,溫度25±2℃,潔凈度ISO6級。
光學(xué)薄膜涂布:環(huán)境要求濕度≤2%RH,溫度22±1℃,潔凈度ISO5級。
4、精密儀器裝配
激光器組裝:環(huán)境要求濕度≤5%RH,溫度20±1℃,潔凈度ISO6級。
陀螺儀調(diào)試:環(huán)境要求濕度≤3%RH,溫度23±0.5℃,潔凈度ISO5級。
高精度傳感器校準(zhǔn):環(huán)境要求濕度≤2%RH,溫度25±0.2℃,潔凈度ISO4級。
四、運(yùn)行維護(hù)要點(diǎn)
建立完整的濕度監(jiān)控網(wǎng)絡(luò),傳感器布點(diǎn)密度不低于1個(gè)/50m2;制定嚴(yán)格的物料傳遞流程,所有進(jìn)入物品需經(jīng)風(fēng)淋或傳遞窗處理;定期進(jìn)行圍護(hù)結(jié)構(gòu)氣密性檢測,確保系統(tǒng)長期穩(wěn)定運(yùn)行。
干式潔凈室通過精確的濕度控制與完善的氣流組織設(shè)計(jì),為對水分敏感的特殊工藝提供了可靠的環(huán)境保障,在高端制造領(lǐng)域具有不可替代的重要地位。

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